一位工程师曾经对我讲，他从来不看MOSFET数据表的第一页，因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上，MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标，这些指标在数据表上是如何表述的，以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样，MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点是了解测试条件，所提到的指标是在这些条件下应用的。还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这些指标是“最大”或是“典型”值，因为有些数据表并没有说清楚。


电压等级


确定MOSFET的首要特性是其漏源电压VDS，或“漏源击穿电压”，这是在栅极短路到源极，漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。VDS也被称为“25℃下的绝对最高电压”，但是一定要记住，这个绝对电压与温度有关，而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。你还要明白，最高VDS是直流电压加上可能在电路里存在的任何电压尖峰和纹波。例如，如果你在电压30V并带有100mV、5ns尖峰的电源里使用30V器件，电压就会超过器件的绝对最高限值，器件可能会进入雪崩模式。在这种情况下，MOSFET的可靠性没法得到保证。


在高温下，温度系数会显着改变击穿电压。例如，一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的，在接近最高结温时，温度系数会让这些MOSFET变得象650V MOSFET。很多MOSFET用户的设计规则要求10%——20%的降额因子。在一些设计里，考虑到实际的击穿电压比25℃下的额定数值要高5%——10%，会在实际设计中增加相应的有用设计裕量，对设计是很有利的。


对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。这个电压是在给定的最大RDS（on）条件下，能够确保MOSFET完全导通的电压。这就是为什么导通电阻总是与VGS水平关联在一起的原因，而且也是只有在这个电压下才能保证器件导通。一个重要的设计结果是，你不能用比用于达到RDS（on）额定值的最低VGS还要低的电压，来使MOSFET完全导通。例如，用3.3V微控制器驱动MOSFET完全导通，你需要用在VGS= 2.5V或更低条件下能够导通的MOSFET。